买卖IC网 >> 产品目录 >> IXFN210N30P3 MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

IXFN210N30P3

库存数量：可订货
制造商：Ixys
描述：MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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制造商 Ixys
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 300 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 192 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 14.5 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-227B
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 IXFN210N30P3
IXFN21N100Q
IXFN230N10
IXFN230N20T
IXFN23N100
IXFN240N15T2
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  • IXFN210N30P3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价